黑硅技術(shù)路線明朗化 多晶挑戰(zhàn)普通單晶市占率
自從PERC技術(shù)普及之后，單晶太陽(yáng)能產(chǎn)品持續(xù)威脅多晶的市占。多晶廠商因而開(kāi)始關(guān)注黑硅工藝，嘗試透過(guò)黑硅來(lái)改善金剛線切硅片易使電池轉(zhuǎn)換效率降低的問(wèn)題，為龐大的多晶產(chǎn)能找尋新的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。
與傳統(tǒng)的沙線切多晶硅片相比，金剛線切的速度較快、切出的硅片品質(zhì)較穩(wěn)定，每片硅片成本可降低6~10美分。然而金剛線切多晶硅片的表面過(guò)于光滑，使日光容易反射而無(wú)法被電池吸收，會(huì)降低轉(zhuǎn)換效率。為此必須進(jìn)行表面制絨處理，其中一種能見(jiàn)度高的技術(shù)被稱(chēng)為黑硅。
黑硅是隨著金剛線切硅片而卷土重來(lái)的既存技術(shù)。2016年，已有不少?gòu)S商開(kāi)始投入黑硅研究，中國(guó)阿特斯、晶澳、晶科、比亞迪等一線大廠、日廠京瓷以及部分臺(tái)廠都包含在內(nèi)。
黑硅主要分成干法與濕法兩種，又有多種分類(lèi)。目前，市場(chǎng)上主要的黑硅技術(shù)有干法、濕法、添加劑三類(lèi)；添加劑屬濕法的一類(lèi)，但沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)濕法所采用的硝酸銀溶劑。
考量到目前的技術(shù)發(fā)展與設(shè)備成本等面向，EnergyTrend分析師認(rèn)為，2017年黑硅技術(shù)路線已逐漸朝添加劑工藝收斂，而干法仍有繼續(xù)發(fā)展的空間。相較之下，濕法所使用的硝酸銀溶劑有環(huán)境污染疑慮，是相對(duì)不利的特性。此外，濕法在效率提升上不如干法、在降本方面又不如添加劑，其競(jìng)爭(zhēng)力如何仍待檢視。
黑硅多晶電池若疊加PERC技術(shù)，轉(zhuǎn)換效率可來(lái)到19~20%左右；加上金剛線切所降低的成本，在性?xún)r(jià)比上直接挑戰(zhàn)的將是一般單晶的地位。加上單晶受限于硅片產(chǎn)能不如多晶充足，難以一舉翻轉(zhuǎn)多晶的市占率，相對(duì)的也為性?xún)r(jià)比更好的黑硅多晶開(kāi)了市場(chǎng)空間。
而單晶PERC則將在2017年正式隨著技術(shù)成熟而邁入高效產(chǎn)品的主流市場(chǎng)，這點(diǎn)從不少?gòu)S商積極擴(kuò)產(chǎn)、市場(chǎng)需求也升溫的現(xiàn)象中可以得知。
EnergyTrend分析師預(yù)估，黑硅技術(shù)路線將在2017年上半年明朗化，并在2017年下半年開(kāi)始進(jìn)入量產(chǎn)階段。市場(chǎng)對(duì)黑硅多晶電池的反應(yīng)如何，將左右黑硅未來(lái)的發(fā)展。
